[发明专利]一种LTPS阵列基板

摘要

本发明提供一种LTPS阵列基板，其包括多个低温多晶硅薄膜晶体管及底层透明导电层、保护层以及顶层透明导电层。所述每一低温多晶硅薄膜晶体管包括依次叠加形成的基板，图形化的遮光层、缓冲层、图像化的多晶硅层、栅极绝缘层、栅电极线和公共电极线、绝缘层、漏极电极和源极电极、平坦层。所述底层透明导电层、保护层以及顶层透明导电层依次叠加形成平坦层上。所述图像化的多晶硅层包括第一部分及第二部分。所述漏极电极延伸有与所述第二部分相对的延伸部。

主权项

一种LTPS阵列基板，其包括多个低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述每一低温多晶硅薄膜晶体管包括一个基板；形成于所述基板上的图形化的遮光层；形成于所述基板和所述图形化的遮光层上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的图像化的多晶硅层，其中，图像化的多晶硅层包括正投影于遮光层的第一部分和远离所述遮光层延伸的第二部分；形成于所述图形化的多晶硅层和所述缓冲层上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的第一金属层，图形化所述第一金属层形成栅电极线和公共电极线，所述公共电极线、与所述公共电极线相对应的所述多晶硅层的第二部分以及夹持在形成所述公共电极线与所述第二部分之间的栅极绝缘层构成第一存储电容；形成于所述栅极绝缘层和栅电极线和公共电极线的绝缘层；形成于所述绝缘层上的第二金属层，图案化所述第二金属层形成漏极电极和源极电极，所述漏极电极延伸有延伸部，所述延伸部正投影于所述公共电极线，并且所述漏极电极的延伸部与所述公共电极线以及位于所述延伸部与公共电极线之间的绝缘层形成第二存储电容；所述第二存储电容与所述第一存储电容并联设置，以及形成于所述绝缘层和图案化后的第二金属层上的平坦层。