[发明专利]用于制作阵列基板的方法及阵列基板

摘要

本发明公开了一种用于制作阵列基板的方法及阵列基板，该方法包括在基板上依次形成多晶硅有源层和覆盖层；在覆盖层上涂覆光阻，并采用半透光光罩经曝光显影处理以在覆盖层上对应形成至少一个具有不同光阻厚度的光阻区及裸露覆盖层的镂空区；对形成光阻区的基板进行处理以在多晶硅有源层中形成对应于光阻区的部分区域的离子轻掺杂区和对应于镂空区的离子重掺杂区；对形成离子轻掺杂区和离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极。本发明避免了采用侧向蚀刻工艺形成LDD结构的低温多晶硅薄膜晶体管，降低了采用低温多晶硅薄膜晶体管制作阵列基板的难度。

主权项

一种用于制作阵列基板的方法，包括：在基板上依次形成多晶硅有源层和覆盖层；在所述覆盖层上涂覆光阻，并采用半透光光罩经曝光显影处理以在所述覆盖层上对应形成至少一个具有不同光阻厚度的光阻区及裸露所述覆盖层的镂空区；对形成所述光阻区的基板进行处理以在所述多晶硅有源层中形成对应于所述光阻区的部分区域的离子轻掺杂区和对应于所述镂空区的离子重掺杂区；对形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区的基板进行处理以形成栅极、源漏极和像素电极，所述不同光阻厚度的光阻区包括第一厚度的中心部及由所述中心部向外围两侧延伸的第二厚度的翼部，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，通过所述半透光光罩的不透光区对应地形成所述中心部，通过所述半透光光罩的半透光区对应地形成所述翼部，所述覆盖层包括栅极绝缘层，形成所述离子轻掺杂区和所述离子重掺杂区包括：对形成所述光阻区的基板进行离子重掺杂处理，以在所述多晶硅有源层中形成对应所述镂空区的离子重掺杂区，在所述多晶硅有源层中对应所述中心部和所述翼部的部分没有离子掺杂；对进行离子重掺杂处理后的基板同时进行干蚀刻处理和离子轻掺杂处理，以去除所述翼部对应的光阻，对应原所述中心部的光阻部分保留，同时以对应原所述中心部的光阻部分保留的部分为掩膜在所述多晶硅有源层中形成对应原所述翼部的离子轻掺杂区，在所述多晶硅有源层中对应原所述中心部的部分没有离子掺杂。