[发明专利]使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法有效
| 申请号： | 201410767151.X | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104445204A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 晏成林;刘杰;钱涛 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 项丽 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，它包括以下步骤：（a）将冶金级硅浸入不同有机溶液中，分别超声处理15~30分钟；（b）将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中，在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅；（c）置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液；（d）真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅；（e）将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中，在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥；（f）表面进行剥离得到多孔硅纳米线。一方面离子溅射仪沉积的银纳米粒子颗粒均匀，有利于在硅纳米线上形成孔径均匀的多孔结构；另一方面缩短时间、提高效率；而且该发明简单易行，适于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 冶金 制备 多孔 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，其特征在于，它包括以下步骤：（a）将冶金级硅浸入不同有机溶液中，分别超声处理15~30分钟；（b）将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中，在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅；（c）将所述氧化冶金级硅置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液中，反应1~10分钟得到剥离氧化层的冶金级硅；（d）将所述剥离氧化层的冶金硅放入离子溅射仪中，真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅；（e）将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中，在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥；（f）使用胶带纸对干燥后的冶金级硅表面进行剥离得到多孔硅纳米线。
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