[发明专利]以碲化铋为基的热电材料的制备方法在审
| 申请号： | 201410768207.3 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104495763A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 吴燕青;贺贤汉;荒木暉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法，包括如下步骤：第一步，将原材料在真空气氛下合成；第二步，将合成所获得的多晶体封接在安瓿瓶中；第三步，将安瓿瓶放入晶体生长装置内，旋转安瓿瓶，并对晶体生长装置进行抽气。本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法采用安瓿瓶真空绝热、Bi2Te3合金材料旋转的方法进行晶体区熔生长，有效地防止了因周向传热不均，生长界面发生倾斜，使装有Bi2Te3合金材料的安瓿瓶在晶体生长过程中始终处在真空状态下，阻断了晶体材料表面与环境间对流方式的热交换，使晶体生长地过程中热流的传递方向得到了有效的控制，热流沿晶棒生长轴方向导出，生长界面更趋于平坦，有效地抑制斜向结晶的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化铋 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
以碲化铋为基的热电材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，将原材料在真空气氛下合成；第二步，将合成所获得的多晶体封接在安瓿瓶中；第三步，将安瓿瓶放入晶体生长装置内，旋转安瓿瓶，并对晶体生长装置进行抽气。
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