[发明专利]一种低温定点成核制备石墨烯薄膜的方法在审
| 申请号： | 201410768777.2 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104498892A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 高翾;黄德萍;李占成;张永娜;朱鹏;姜浩;史浩飞;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/02;C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及石墨烯薄膜的制备技术领域，尤其涉及一种低温定点成核制备石墨烯薄膜的方法。一种低温定点成核制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：在金属基底上涂布一层碳源溶液，并烘干碳源溶液至固化；将金属基底表面固化后的碳源溶液图形化形成多个固态碳源；将整个金属基底放入CVD反应腔中，进行石墨烯成核，使得固态碳源的碳原子重组定点成核；在碳原子重组定点成核后，碳原子扩散至整个金属基底上，形成石墨烯薄膜；对生成的石墨烯薄膜进行冷却降温，完成石墨烯薄膜的制备。本发明的有益效果是：步骤简单、操作方便、减少了能耗，提高了生产效率，可通过涂布碳源溶液的量来控制石墨烯薄膜生产数量，简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 定点 成核 制备 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种低温定点成核制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在金属基底(1)上涂布一层碳源溶液(2)，并烘干碳源溶液(2)至固化；2)将金属基底(1)表面固化后的碳源溶液(2)图形化形成多个固态碳源(3)；3)将整个金属基底(1)放入CVD反应腔中，进行石墨烯成核，使得固态碳源(3)的碳原子重组定点成核；4)在碳原子重组定点成核后，碳原子扩散至整个金属基底(1)上，形成石墨烯薄膜(4)；5)对生成的石墨烯薄膜(4)进行冷却降温，完成石墨烯薄膜(4)的制备。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
