[发明专利]用于先进互连应用的混合铜结构有效
| 申请号： | 201410768913.8 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105321927B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘相玮;杨岱宜;庄正吉;林天禄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成BEOL金属化层的方法和相关联的装置，该方法使用不同的导电材料(例如，金属)来填充层间介电层中的不同尺寸的开口。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片，集成芯片具有设置在第一BEOL金属化层内并且包括第一导电材料的第一多个金属互连结构。集成芯片还具有在第一BEOL金属化层内的与第一多个金属互连结构横向分离的位置处设置的第二多个金属互连结构。第二多个金属互连结构具有与第一导电材料不同的第二导电材料。通过使用不同的导电材料在同一BEOL金属化层内形成不同的金属互连结构，可以缓解窄BEOL金属互连结构中的间隙填充问题，从而提高集成芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属互连结构 导电材料 集成芯片 金属化层 方法使用 横向分离 间隙填充 混合铜 介电层 填充层 位置处 互连 开口 关联 金属 缓解 应用 | ||
【主权项】：
1.一种集成芯片，包括：第一多个金属互连结构，设置在第一后段制程金属化层内，并且包括第一导电材料；以及第二多个金属互连结构，在所述第一后段制程金属化层内且在与所述第一多个金属互连结构横向分离的位置处设置，其中，所述第二多个金属互连结构包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料，所述第一导电材料被所述第二导电材料环绕并且从所述第二导电材料的底表面突出。
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