[发明专利]多次可编程存储器有效
| 申请号： | 201410769083.0 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104821181B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈旭顺;郭政雄;李谷桓;陈中杰;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种可使用1.5V至5.5V的电源电压的电源工作的多次可编程(MTP)结构。当电源电压高于第一电压时，第一电路配置成在第二晶体管的漏极处生成第二恒定电压，并且在第三电路中端子上生成第二恒定电压。在一些实施例中，第三电路提供第三晶体管的栅极上的第三恒定电压。当电源电压低于第一电压时，第五电路配置成在第三电路中端子上生成第四恒定电压。第四恒定电压基本上等于第二恒定电压。该方法还包括该结构的操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种多次可编程MTP存储器结构，包括：第一晶体管；第二晶体管，包括在节点处直接连接至所述第一晶体管的漏极的源极；第三晶体管，连接在所述节点和位线之间；第四晶体管，所述第四晶体管的漏极连接至所述位线；第一电路，配置成在所述第二晶体管的漏极处生成第一恒定电压；以及第二电路，配置成在所述第四晶体管的栅极处生成第二恒定电压。
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