[发明专利]FINFET掺杂方法及其结构在审
| 申请号： | 201410770301.2 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105280701A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;吕伟元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于制造具有基本未掺杂的沟道区的半导体器件的方法，该方法包括提供衬底，该衬底具有从衬底处延伸的鳍。在鳍上形成原位掺杂层。例如，原位掺杂层可以包括通过外延生长工艺形成的原位掺杂阱区。在一些实例中，原位掺杂阱区包括N阱区和P阱区。在鳍上形成原位掺杂层之后，在原位掺杂层上形成未掺杂层，并且在未掺杂层上方形成栅叠件。未掺杂层可以包括通过外延生长工艺而形成的未掺杂沟道区。在各个实例中，形成邻近于未掺杂沟道区并且位于未掺杂沟道区的两侧上的源极区和漏极区。本发明还提供了利用该方法制造的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 掺杂 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有从所述衬底处延伸的鳍；在所述鳍上形成原位掺杂层；以及在所述鳍上形成所述原位掺杂层之后，在所述原位掺杂层上形成未掺杂层。
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