[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体元件及其制造方法。上述半导体元件包括第一和第二井区，位于基板内，且具有彼此相反的第一导电类型和第二导电类型。栅极结构，覆盖部分第一和第二井区。第一阳极掺杂区和第二阳极掺杂区，位于第一井区中。第三阳极掺杂区位于第二阳极掺杂区的正下方，第一阳极掺杂区的顶部与第三阳极掺杂区的顶部分别与基板的顶面相距不同距离。第一和第三阳极掺杂区具有第二导电类型，第二阳极掺杂区具有第一导电类型。第三阳极掺杂区的掺质浓度低于第一阳极掺杂区的掺质浓度。

主权项

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一基板；一第一井区，位于该基板内，其中该第一井区具有一第一导电类型；一第二井区，位于该基板内，且相邻于该第一井区，其中该第二井区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型；一栅极结构，位于该基板上，且覆盖部分该第一和第二井区；一第一阳极掺杂区，位于该第一井区中，其中该第一阳极掺杂区具有该第二导电类型；一第二阳极掺杂区，位于该第一井区中，且相邻于该第一阳极掺杂区，其中该第二阳极掺杂区具有该第一导电类型；以及一第三阳极掺杂区，位于该第二阳极掺杂区的正下方，其中该第一阳极掺杂区的一顶部与该第三阳极掺杂区的一顶部分别与该基板的一顶面相距不同距离，其中该第三阳极掺杂区具有该第二导电类型，且该第三阳极掺杂区的掺质浓度低于该第一阳极掺杂区的掺质浓度；一第一缓冲掺杂区，位于该第一井区中，其中该第一缓冲掺杂区具有该第一导电类型；一第二缓冲掺杂区，位于该第二井区中，其中该第二缓冲掺杂区具有该第一导电类型；一阴极掺杂区，位于该第二缓冲掺杂区中，其中该阴极掺杂区具有该第一导电类型；一第一掺杂区，位于该第二井区中，且相邻于该第二缓冲掺杂区，其中该第一掺杂区具有该第二导电类型；以及该第一阳极掺杂区、该第二阳极掺杂区和该第三阳极掺杂区位于该第一缓冲掺杂区中；其中，该第一阳极掺杂区和该第三阳极掺杂区一起包围该第二阳极掺杂区。