[发明专利]扇出晶圆封装结构有效
| 申请号： | 201410781803.5 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104392975A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 高国华;郭飞;宣慧 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出晶圆封装结构，其特征在于，包括：衬底；形成于衬底上封装层，封装层包括与导电互连结构、第二芯片以及填充于导电互连结构和第二芯片之间的介质层，介质层露出导电互连结构以及第二芯片的金属垫；形成在封装层上的绝缘层，绝缘层包括与导电互连结构或者第二芯片的金属垫电连接的引线结构。本发明的有益效果在于，将一个或多个第二芯片与一个第一芯片组合封装在一起，第二芯片可以作为辅助芯片配合第一芯片工作，使整个扇出晶圆封装结构的电气性能得到提升，相对于现有的再造晶圆工艺来说只需要在主芯片上形成辅助芯片，相对省去了再造晶圆的工艺步骤，降低了生产成本以及工艺的复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出晶圆 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种扇出晶圆封装结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中包括第一芯片；依次形成于所述衬底上的一层或多层封装层，所述封装层包括：与所述第一芯片电连接的导电互连结构；设置于所述第一芯片未形成所述导电互连结构部分的第二芯片，所述第二芯片具有金属垫；填充于所述导电互连结构和第二芯片之间的介质层，所述介质层露出所述导电互连结构以及第二芯片的金属垫；形成在所述封装层上的绝缘层，所述绝缘层包括与所述导电互连结构或者第二芯片的金属垫电连接的引线结构。
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