[发明专利]一种侧墙的形成方法

摘要

本申请提供了一种侧墙的形成方法。该形成方法包括：在半导体衬底上设置相互独立的高压器件栅、选择栅和浮栅；在半导体衬底上、高压器件栅、选择栅和浮栅上设置ONO层；在ONO层上设置多晶硅；对多晶硅进行刻蚀，在浮栅上形成控制栅；在ONO层和控制栅上设置侧墙材料；对侧墙材料进行刻蚀并以ONO层的氮化硅层为刻蚀终点，得到侧墙；以及去除裸露的氮化硅层。以ONO层的氮化硅层为侧墙材料的刻蚀终点，有效地控制其刻蚀终点；刻蚀过程中，ONO层对半导体衬底表面进行保护，避免了其受到损伤；同时，在刻蚀形成控制栅时，ONO层和侧墙包裹残留的多晶硅，不会造成多晶硅剥落而溅落到其他结构中导致器件结构性能劣化的后果。

主权项

1.一种侧墙的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：在半导体衬底(100)上设置相互独立的高压器件栅(201)、选择栅(202)和浮栅(203)；在所述半导体衬底(100)上、所述高压器件栅(201)、所述选择栅(202)和所述浮栅(203)上设置ONO层(300)；在所述ONO层(300)上设置多晶硅(400)；对所述多晶硅(400)进行刻蚀，在所述浮栅(203)上形成控制栅(500)；在所述ONO层(300)和所述控制栅(500)上设置侧墙材料(600)；对所述侧墙材料(600)进行刻蚀并以所述ONO层(300)的氮化硅层(302)为刻蚀终点，得到所述侧墙(700)；以及去除裸露的所述氮化硅层(302)。