[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201410787400.1 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105374687B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张锡明;黄彦馀 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;尚群 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极电极；于基板上形成栅极绝缘层覆盖栅极电极；于栅极绝缘层上形成通道层，且通道层位于栅极电极上方，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，并且该第一部位与该第二部位彼此不相连；于栅极绝缘层上形成蚀刻阻挡层覆盖通道层并使通道层的第一部位显露于外；于栅极绝缘层上形成第一电极覆盖并接触第一部位；去除部分蚀刻阻挡层以暴露通道层的第二部位；于栅极绝缘层上形成第二电极覆盖并接触第二部位。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：于一基板上形成一栅极电极；于该基板上形成一栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层覆盖该栅极电极；于该栅极绝缘层上形成一通道层，其中该通道层具有一第一部位与一第二部位，并且该第一部位与该第二部位彼此不相连；于该栅极绝缘层上形成一蚀刻阻挡层，其中该蚀刻阻挡层覆盖部分该通道层并暴露该通道层的该第一部位；于该栅极绝缘层上形成一第一电极，其中该第一电极覆盖并接触该通道层的该第一部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位；去除部分该蚀刻阻挡层，以暴露该通道层的该第二部位；以及于该栅极绝缘层上形成一第二电极，其中该第二电极覆盖并接触该通道层的该第二部位及其邻近的该蚀刻阻挡层部位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司，未经中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410787400.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种形成器件正面金属图形的方法
- 下一篇：FTTH自承式铠装蝶形引入光缆
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
