[发明专利]栅极的制作方法及半导体器件在审

专利信息
申请号: 201410789165.1 申请日: 2014-12-16
公开(公告)号: CN105762067A 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 董金珠;宋化龙;蒲月皎 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种栅极的制作方法及半导体器件。该制作方法包括以下步骤:在半导体基体上形成预栅极;对所述预栅极进行扩散掺杂处理,以形成所述栅极。该制作方法通过在半导体基体上形成预栅极,以及对预栅极进行扩散掺杂处理以形成栅极。由于扩散掺杂处理的工艺过程易于控制,使得很容易通过控制扩散掺杂处理的工艺参数调整栅极中掺杂离子的掺杂浓度,从而提高了所形成栅极中掺杂离子的掺杂浓度的精确性,进而提高了栅极的性能。
搜索关键词: 栅极 制作方法 半导体器件
【主权项】:
一种栅极的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:在半导体基体上形成预栅极;对所述预栅极进行扩散掺杂处理,以形成所述栅极。
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