[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410789214.1 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762105A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 龚英嫣;施平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间绝缘层，覆盖栅极结构、侧壁结构和自对准硅化物；依次蚀刻层间绝缘层和接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在接触孔的侧壁和底部形成阻止后续形成的接触塞向下穿透的阻挡层；在接触孔中形成接触塞。根据本发明，形成的阻挡层可以有效阻止接触塞的穿透，保护阻挡层下方的自对准硅化物不受破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在所述源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间绝缘层，覆盖所述栅极结构、所述侧壁结构和所述自对准硅化物；依次蚀刻所述层间绝缘层和所述接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在所述接触孔的侧壁和底部形成阻止后续形成的接触塞向下穿透的阻挡层；在所述接触孔中形成所述接触塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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