[发明专利]能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器在审
申请号: | 201410790846.X | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104518762A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 聂凯明;闫茜;徐江涛;史再峰;高静;高志远;姚素英 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H03K3/02 | 分类号: | H03K3/02 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及抗辐射集成电路设计领域,为提供可以应用于辐射环境下的触发器,为此,本发明采取的技术方案是,能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器,包括5个传输门TG1’~TG5’、5个反相器INV1’~INV5’、3个二输入保护门DIG1’~DIG3’和一个延迟单元结构τ,输入D’分别经由TG1’和INV1’后的节点为A’,A’节点后分为两个支路,各自接反相器INV2’和INV3’,其中接INV3’的支路还需要加延迟单元τ,这两个支路各自经由传输门TG2’和TG3’后的节点是B1’和B2’。本发明主要应用于抗辐射集成电路设计。 | ||
搜索关键词: | 能够 抵抗 粒子 效应 节点 翻转 时域 加固 触发器 | ||
【主权项】:
一种能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器,其特征是,包括5个传输门TG1’~TG5’、5个反相器INV1’~INV5’、3个二输入保护门DIG1’~DIG3’和一个延迟单元结构τ,输入D’分别经由TG1’和INV1’后的节点为A’,A’节点后分为两个支路,各自接反相器INV2’和INV3’,其中接INV3’的支路还需要加延迟单元τ,这两个支路各自经由传输门TG2’和TG3’后的节点是B1’和B2’;B1’、B2’均作为DIG1’和DIG2’的输入信号,DIG1’的输出节点是C1’,DIG2’的输出节点是C2’,C1’经由INV4’和TG4’连至B1’节点,C2’经由INV5’和TG5’后连接至B2’节点,C1’、C2’作为DIG3’的两个输入,DIG3’的输出Q’即为触发器的输出端。
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