[发明专利]电子管芯单体化方法有效
申请号: | 201410790910.4 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN104934374B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | G·M·格里弗纳 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及电子管芯单体化方法。在一种实施例中,通过以下操作将管芯从具有背面层的晶片中单体化:将晶片置于载体基板上,背面层与载体基板相邻,形成通过晶片单体化线以使在单体化线内的背面层露出,以及沿着第二主表面基本上均匀地施加压力以使单体化线内的材料层批量分离。在一种实施例中,填注流体的容器能够被用来施加压力。 | ||
搜索关键词: | 电子 管芯 单体 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于单体化晶片的方法,包括:提供晶片,所述晶片具有形成于所述晶片上的且彼此以间隔分开的多个管芯,其中所述晶片具有相对的第一主表面及第二主表面,并且其中材料层沿着所述第二主表面形成;将所述晶片置于载体基板上;将所述晶片和所述载体基板置于室中,所述室至少部分地包围压力传递容器,其中所述压力传递容器含有流体;以及靠着所述压力传递容器移动压缩结构从而沿着所述第二主表面基本上均匀地施加压力以使单体化线内的所述材料层分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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