[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，该硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底，在晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在前栅线上的第一互联条，在晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在银薄膜背离晶硅衬底一侧的第二互联条；与现有的硅异质结太阳能电池在背电极层上设置背栅线的结构相比，省去利用银浆材料制作的背栅线，在银薄膜上直接焊接或粘贴第二互联条，这样，不仅可以简化硅异质结太阳能电池的制作工艺，还可以降低硅异质结太阳能电池的制作成本。

主权项

1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：晶硅衬底，在所述晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在所述前栅线上的第一互联条，在所述晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在所述银薄膜背离所述晶硅衬底一侧的第二互联条；所述银薄膜的厚度为1nm-500nm；所述第二互联条的厚度小于0.2μm。