[发明专利]双镶嵌结构的结构和形成方法在审
| 申请号： | 201410800485.2 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105374772A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 彭泰彥;谢志宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了双镶嵌结构的结构和形成方法。提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的导电部件。该半导体器件结构还包括位于导电部件和半导体衬底上方的介电层和位于介电层中的通孔。通孔具有椭圆形的截面。该半导体器件结构还包括位于介电层中的沟槽，通孔从沟槽的底部开始延伸。沟槽的沟槽宽度宽于通孔的孔宽度。此外，该半导体器件结构包括一种或多种导电材料，其填充通孔和沟槽并且电连接至导电部件。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；导电部件，位于所述半导体衬底上方；介电层，位于所述导电部件和所述半导体衬底上方；通孔，位于所述介电层中，其中，所述通孔具有椭圆形的截面；沟槽，位于所述介电层中，其中，所述通孔从所述沟槽的底部开始延伸，并且所述沟槽的沟槽宽度宽于所述通孔的孔宽度；以及至少一种导电材料，填充所述通孔和所述沟槽，并且电连接至所述导电部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410800485.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
