[发明专利]用于集成电路的布局设计的系统和方法有效
申请号: | 201410807998.6 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN105304623B | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 江庭玮;庄惠中;田丽钧 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了用于集成电路的布局设计的系统和方法。一种用于集成电路的布局设计的系统和方法以及一种集成电路。该方法包括将第一掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置,其中,第一掩模图案的导电线路位于第一导电层中。该方法还包括将第二掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置,其中,第二掩模图案的导电线路位于第一导电层中,并且第二掩模图案在不同于第一方向的第二方向上偏离第一掩模图案。 | ||
搜索关键词: | 用于 集成电路 布局 设计 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成电路的布局设计的方法,包括:将第一掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置,其中,所述第一掩模图案的导电线路位于第一导电层中;以及将第二掩模图案的所有导电线路沿第一方向布置,其中,所述第二掩模图案的导电线路位于所述第一导电层中,并且所述第二掩模图案沿不同于所述第一方向的第二方向偏离所述第一掩模图案;将第三掩模图案的所有导电线路沿第三方向布置,其中,所述第三掩模图案的导电线路位于第二导电层中,并且所述第三方向不同于所述第一方向,所述第二导电层不同于所述第一导电层;其中,所述第三掩模图案的所有导电线路中的至少一个导电线路是多晶硅,并且所述第一掩模图案、所述第二掩模图案或所述第三掩模图案的导电线路连接第一晶体管的源极至第二晶体管的漏极,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管是第一传输栅极的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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