[发明专利]一种叠层片式电子元器件的制作方法在审
申请号: | 201410809701.X | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN104538175A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 余瑞麟;戴春雷 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/14 | 分类号: | H01F41/14;H01F17/00;H01F37/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种叠层片式电子元器件的制作方法,包括长通孔制作步骤,粉料处理及粉料填充步骤;所述长通孔制作步骤包括膜生带流延、长通孔开孔、对位标识印刷和对位叠压形成BAR块子步骤,本发明采用先制作长通孔,再对长通孔进行填粉的填充方法,效率高可一次填孔,且填孔效果密实,工艺简单,产品的稳定性及可靠性较高。 | ||
搜索关键词: | 一种 叠层片式 电子元器件 制作方法 | ||
【主权项】:
一种叠层片式电子元器件的制作方法,其特征在于包括:长通孔制作步骤,粉料处理及粉料填充步骤;所述长通孔制作步骤包括膜生带流延、长通孔开孔、对位标识印刷和对位叠压形成BAR块子步骤。
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