[发明专利]一种硅块的少子寿命检测方法在审
| 申请号： | 201410812419.7 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105784436A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 汪万盾 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314117 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开了一种少子寿命检测方法，包括：将待检测硅块在长度方向上分为底部测试区域以及顶部测试区域；对所述底部测试区域内距离底面距离小于第一距离的第一区域进行少子寿命检测；对顶部测试区域内距离顶面距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命检测；根据少子寿命检测结果，切除所述待检测硅块底部少子寿命小于标准值的区域以及顶部少子寿命小于标准值的区域。可见，所述少子寿命检测方法在对待检测硅块进行少子寿命检测时，将其分为两个测试区域，仅对测试区域内预设的第一区域以及第二区域进行检测，解决了传统少子检测方法无法对长度超过设定阈值的硅块进行少子检测的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 少子 寿命 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种硅块的少子寿命检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：将待检测硅块在长度方向上分为底部测试区域以及顶部测试区域；对所述底部测试区域内距离底面距离小于第一距离的第一区域进行少子寿命检测；对顶部测试区域内距离顶面距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命检测；根据少子寿命检测的结果，切除所述待检测硅块底部少子寿命小于标准值的区域以及顶部少子寿命小于标准值的区域。
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