[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201410817577.1 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105006246B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 朴珉秀;丘泳峻 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：主芯片，其适于基于读取命令产生多个第一控制信号和第二控制信号；以及多个从属芯片，每个从属芯片适于基于第一控制信号中对应的控制信号来锁存从包括在对应的从属芯片中的多个存储器单元读取的数据，并且将锁存的数据传送至主芯片，其中，主芯片基于第一控制信号来锁存从从属芯片传送的数据，而基于第二控制信号来输出锁存在主芯片中的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：主芯片，其适于基于读取命令产生多个第一控制信号和第二控制信号；以及多个从属芯片，每个从属芯片适于基于所述第一控制信号中对应的控制信号来锁存从包括在对应的从属芯片中的多个存储器单元读取的数据，并且将锁存的数据传送至所述主芯片，其中，所述主芯片基于所述第一控制信号来锁存从所述从属芯片传送的数据，而基于所述第二控制信号输出锁存在所述主芯片中的数据。
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