[发明专利]薄膜晶体管基板、其制作方法及使用之液晶显示面板有效
| 申请号： | 201410819642.4 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105785684A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 高逸群;林欣桦;李志隆;方国龙;施博理 | 申请（专利权）人： | 业鑫科技顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板、其制作方法及使用此薄膜晶体管基板的液晶显示面板。本发明的薄膜晶体管基板的制作方法，其包括先在一基板上形成薄膜晶体管，然后将该薄膜晶体管基板置于一高于1个标准大气压的高压环境下对该薄膜晶体管基板进行氧离子修补。本发明通过一高压环境对薄膜晶体管基板进行氧离子修补，能够得到具有稳定导电效果的薄膜晶体管基板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 使用 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板的制作方法，其包括如下步骤：提供一基板；于该基板上形成薄膜晶体管；于该薄膜晶体管上形成钝化层及像素电极层，该像素电极层与该薄膜晶体管的漏极电性连接；将形成有该钝化层及该像素电极层的该薄膜晶体管基板置于一大气压强为2个标准大气压到7个标准大气压的高压环境下以增加该沟道层的氧离子浓度。
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