[发明专利]一种半导体芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201410820428.0 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104409583A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 田艳红;汪延明;许顺成;马欢 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的制造方法，该半导体芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电层、P型电极、N型电极、绝缘层。在本发明的方法中，使用紫外线固化胶来制造绝缘层，包括以下步骤：涂覆并烘烤紫外线固化胶；将紫外线掩板放置在紫外线固化胶上方，并使用紫外线照射紫外线固化胶以固化紫外线固化胶；除去未固化的紫外线固化胶。使用本发明的方法制造的半导体芯片的绝缘层的绝缘性能良好，尤其当半导体芯片用于免打线封装时，具有优良的绝缘效果，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次层叠N型半导体层、有源层、P型半导体层从而制备外延片；在所述外延片上沉积透明导电层；对所述透明导电层、所述P型半导体层、所述有源层进行区域蚀刻，从而分别暴露出P型半导体层和N型半导体层；在所暴露出的P型半导体层上制造P型电极，并且在所暴露出的N型半导体层上制造N型电极；在经过上述步骤所得到的结构体上制造绝缘层，其特征在于，在所述制造绝缘层的步骤中使用了紫外线固化胶。
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