[发明专利]扇出型封装件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201410827179.8 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN104795371A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 施婉婷;刘乃玮;林俊成;黄震麟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种封装件,其中的一个实施例是包括模塑料的封装件,模塑料横向包封具有接触焊盘的芯片。第一介电层形成在模塑料和芯片上面,并且具有暴露接触焊盘的第一开口。第一金属化层形成在第一介电层上面,其中,第一金属化层填充第一开口。第二介电层形成在第一金属化层和第一介电层上面,并且具有位于第一开口上方的第二开口。第二金属化层形成在第二介电层上面并且形成在第二开口中。本发明还提供了一种制造封装件的方法。
搜索关键词: 扇出型 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
一种封装件,包括:芯片,包括衬底和位于所述衬底上的接触焊盘;模塑料,横向包封所述芯片;第一介电层,位于所述模塑料和所述芯片上面,并且具有暴露所述接触焊盘的第一开口;第一金属化层,位于所述第一介电层上面,其中,所述第一金属化层填充所述第一开口并且横向延伸在所述模塑料上方;第二介电层,位于所述第一金属化层和所述第一介电层上面,并且具有位于所述第一开口上方的第二开口;第二金属化层,位于所述第二介电层上面并且通过所述第二开口电连接至所述第一金属化层,并且横向延伸在所述模塑料上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410827179.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top