[发明专利]扇出型封装件及其形成方法在审
申请号: | 201410827179.8 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104795371A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 施婉婷;刘乃玮;林俊成;黄震麟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种封装件,其中的一个实施例是包括模塑料的封装件,模塑料横向包封具有接触焊盘的芯片。第一介电层形成在模塑料和芯片上面,并且具有暴露接触焊盘的第一开口。第一金属化层形成在第一介电层上面,其中,第一金属化层填充第一开口。第二介电层形成在第一金属化层和第一介电层上面,并且具有位于第一开口上方的第二开口。第二金属化层形成在第二介电层上面并且形成在第二开口中。本发明还提供了一种制造封装件的方法。 | ||
搜索关键词: | 扇出型 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种封装件,包括:芯片,包括衬底和位于所述衬底上的接触焊盘;模塑料,横向包封所述芯片;第一介电层,位于所述模塑料和所述芯片上面,并且具有暴露所述接触焊盘的第一开口;第一金属化层,位于所述第一介电层上面,其中,所述第一金属化层填充所述第一开口并且横向延伸在所述模塑料上方;第二介电层,位于所述第一金属化层和所述第一介电层上面,并且具有位于所述第一开口上方的第二开口;第二金属化层,位于所述第二介电层上面并且通过所述第二开口电连接至所述第一金属化层,并且横向延伸在所述模塑料上方。
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