[发明专利]存储器结构有效
| 申请号： | 201410830586.4 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105788622B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 欧图尔·卡图契;科马克·迈克尔·欧康诺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储器结构。存储器宏包括多列以及多个切换电路。多列中的一列具有与该列中的多个存储单元相对应的多个电源电压节点。多个切换电路中的一个切换电路对应于多列中的一列并且被配置为选择性地将第一电压源的第一电压值或第二电压源的第二电压值提供给电源电压节点。第一电压值和第二电压值相差预定的电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器宏，包括：多列存储单元；以及多个切换电路，其中，所述多列存储单元中的一列包括对应于该列中的多个存储单元的多个电源电压节点；所述多个切换电路中的一个切换电路对应于所述多列存储单元中的一列并且被配置为选择性地将第一电压源的第一电压或第二电压源的第二电压提供给所述多个电源电压节点；和所述第一电压和所述第二电压相差预定的电压值，并且所述第一电压低于所述第二电压；以及当选择所述多列存储单元中的一列处在写操作模式下时，所述多列存储单元中剩余列处在相应的伪读操作模式，并且所述第一电压被提供给处在所述写操作模式下的所述多列存储单元中的一列，所述第二电压被提供给所述多列存储单元中的剩余列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410830586.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
