[发明专利]一种吸氚靶片制备方法

摘要

本发明涉及一种吸氚靶片的制备方法，包括以下步骤：第一，选用高纯钼圆片作为氚靶衬底材料；第二，将钼圆片放入丙酮溶液，超声清洗处理，去除表面油污；第三，采用磁控溅射镀膜工艺，在钼圆片上表面镀制钛膜，同时，通过高温真空热处理的方式，使钛膜转变为Ti-Mo合金膜，并使钼圆片与靶膜之间形成一定厚度的Ti-Mo合金扩散层；第四，吸氚靶片高温高真空除气与靶膜吸/放氘活化处理；最后，使靶膜以适当速率逐步吸氚至饱和。本发明吸氚靶片制备方法，降低了脆性氢化物的析出，有效控制了脆性的发生；提高了靶膜的附着力；减少碳的污染和阻止氧向体内扩散，提高了靶膜纯度，增加了靶膜的吸氚活性；提高了中子管或中子发生器的中子产额，延长了其使用寿命。

主权项

一种吸氚靶片制备方法，包括以下步骤：(1)选用钼圆片作为氚靶衬底材料；(2)去除钼圆片表面油污；(3)将钼圆片上表面镀制钛膜并通过高温真空热处理，使钛膜转变为Ti‑Mo合金膜，所述Ti‑Mo合金膜称为靶膜，镀制钛膜的钼圆片称为靶片；(4)所述靶片吸氚后形成吸氚靶片，所述吸氚靶片高温高真空除气与靶膜吸氘/放氘活化处理；(5)靶膜饱和吸氚。