[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410837987.2 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789436B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有底部电极，在所述底部电极的顶部形成有中间切换媒介层；沉积并蚀刻侧墙材料层，以在所述中间切换媒介层的两侧形成侧墙；在所述中间切换媒介层的顶部形成顶部电极，所述顶部电极、所述中间切换媒介层和所述底部电极构成阻变式存储器单元。根据本发明，通过蚀刻形成用于填充所述顶部电极的沟槽时，可以避免所述中间切换媒介层中的第二材料层的暴露，进而提升器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底部电极，在所述底部电极的顶部形成有中间切换媒介层；沉积并蚀刻侧墙材料层，以在所述中间切换媒介层的两侧形成侧墙；在所述中间切换媒介层的顶部形成顶部电极，所述顶部电极、所述中间切换媒介层和所述底部电极构成阻变式存储器单元，所述底部电极形成于第二绝缘层中，所述侧墙的外侧形成有第三绝缘层，形成所述顶部电极的步骤包括：沉积第四绝缘层，覆盖所述中间切换媒介层、所述侧墙和所述第三绝缘层；蚀刻所述第四绝缘层，以形成用于填充所述顶部电极的沟槽；填充所述顶部电极于所述沟槽中，对所述第四绝缘层的蚀刻为过蚀刻。
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