[发明专利]一种闪存存储单元及制作方法

摘要

本发明公开了一种闪存存储单元及制作方法，其中方法包括：于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构；对第一浅沟槽隔离进行刻蚀，以暴露出浮栅结构；于第一浅沟槽隔离的表面以及浮栅结构的侧壁上制备第二浅沟槽隔离，第二浅沟槽隔离的表面与浮栅结构的表面位于同一平面；对第二浅沟槽隔离进行刻蚀；于第二浅沟槽隔离的表面以及浮栅结构的表面上制备氧化硅阻挡层；于氧化硅阻挡层上制备控制栅。本发明的有益效果是采用浅沟槽隔离二次填充的方法，在衬底部分通过高纵深比制程工艺在浅沟槽中填充第一浅沟槽隔离，而浮栅周围部分通过高密度等离子体工艺填充第二浅沟槽隔离，提高了浮栅器件的可靠性。

主权项

1.一种闪存存储单元制作方法，其特征在于，包括：于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构；对所述第一浅沟槽隔离进行刻蚀，以暴露出所述浮栅结构；于所述第一浅沟槽隔离的表面以及所述浮栅结构的侧壁和表面上制备衬垫氧化层；于所述衬垫氧化层之上制备第二浅沟槽隔离；对所述第二浅沟槽隔离进行平坦化处理，并刻蚀掉所述浮栅结构表面上的衬垫氧化层，以使所述第二浅沟槽隔离的表面与所述浮栅结构的表面位于同一平面；对所述第二浅沟槽隔离进行刻蚀；所述第二浅沟槽隔离的刻蚀深度不能超过所述第二浅沟槽隔离的深度，以起到对浮栅结构的绝缘作用；于所述第二浅沟槽隔离的表面以及所述浮栅结构的表面上制备氧化硅阻挡层；于所述氧化硅阻挡层之上制备控制栅；其中，所述制备第一浅沟槽隔离通过高纵深比制程工艺制备，所述制备第二浅沟槽隔离通过高密度等离子体工艺制备。