[发明专利]具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410838171.1 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104538450A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王进泽;杨香;颜伟;刘胜北;赵继聪;何志;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法，所述结构在N+衬底上形成有N-漂移区，在该N-漂移区的上方形成有P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；所述P型基极区的内部形成有P+区和N+区；所述JFET区上方形成有栅介质层；在所述栅介质层与所述P型基极区之间，围绕所述JFET区形成有N-导电沟道层。且在JFET区与N-漂移区连接处形成N电流扩散层，其宽度与N-漂移层宽度相同。本发明能够降低沟道电阻和漂移区电阻，从而降低VDMOSFET结构的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 特征 通电 sic vdmosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOSFET结构，包括N+衬底，在所述N+衬底上形成有N‑漂移区，在该N‑漂移区的上方形成有P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；所述P型基极区的内部形成有P+区和N+区；所述JFET区上方形成有栅介质层；所述N+衬底的一端作为漏极，所述栅介质层的一端作为栅极，所述P+区和N+区的一端作为源极；在所述栅介质层与所述P型基极区之间，围绕所述JFET区形成有N‑导电沟道层。
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