[发明专利]SOI结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410844086.6 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104485309A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI结构的制作方法，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩埋氧化层和顶部半导体层；对所述半导体衬底进行至少两次离子注入以在半导体衬底中形成未掺杂多晶硅层，每一次离子注入之后进行退火工艺，每一次离子注入工艺在半导体衬底中形成间隔设置的带状或网格状的多晶硅层，所述离子注入的离子为惰性气体的离子或者与所述半导体衬底的材质相同的物质产生的离子。本发明减少了顶部半导体层的损伤，减少了顶部半导体层与半导体衬底的之间的可变的寄生电容，在控制SOI结构的成本的前提下提高了SOI结构半导体器件的射频性能。 | ||
| 搜索关键词： | soi 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SOI结构的制作方法，其特征在于，包括:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩埋氧化层和顶部半导体层；对所述半导体衬底进行至少两次离子注入以在半导体衬底中形成未掺杂多晶硅层，每一次离子注入之后进行退火工艺，每一次离子注入工艺在半导体衬底中形成间隔设置的带状或网格状的多晶硅层，所述离子注入的离子为惰性气体的离子或者与所述半导体衬底的材质相同的物质产生的离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
