[发明专利]一种或非门闪存存储器

摘要

本发明公开了一种或非门闪存存储器，包括：基底，在第一方向上开有深隔离槽，在第二方向上开有浅隔离槽，所述深隔离槽的深度大于所述浅隔离槽的深度；氧化层，位于深隔离槽内；沟道区，位于浅隔离槽内；隧穿氧化层，位于沟道区之上；浮栅层，位于隧穿氧化层之上；控制栅层，位于浮栅层之上；层间介电质层，位于浮栅层和控制栅层之间；薄膜层；依次位于控制栅层之上的合金层、氮化硅层；源极；漏极；第一金属层，位于源极和漏极之上；第二金属层，位于漏极之上的第一金属层之上；隔离层。本发明所述的或非门闪存存储器的浮栅埋入基底内，能够使得在平面尺寸不变的条件下将隔离槽长度增加，满足器件运行需要，进而能够微缩至45纳米以下。

主权项

一种或非门闪存存储器，其特征在于，包括：基底，所述基底在第一方向上开有深隔离槽，在第二方向上开有浅隔离槽，所述深隔离槽的深度大于所述浅隔离槽的深度；氧化层，所述氧化层位于所述深隔离槽内，将相邻的两个所述浅隔离槽分为一组，每相邻两组浅隔离槽之间的氧化层的高度高于每组浅隔离槽之间的氧化层的高度，且所述每组浅隔离槽之间的氧化层的高度高于所述浅隔离槽内的氧化层的高度；沟道区，所述沟道区位于所述浅隔离槽内的基底上表面内；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层位于所述沟道区之上；浮栅层，所述浮栅层位于所述隧穿氧化层之上，所述浮栅层的高度高于所述浅隔离槽内的氧化层的高度，且所述浮栅层的高度低于所述每组浅隔离槽之间的氧化层的高度；层间介电质层，所述层间介电质层位于所述浮栅层和所述浅隔离槽内的氧化层之上以及所述浮栅层的侧壁；控制栅层，所述控制栅层位于所述层间介电质层之上，所述控制栅层的高度低于所述每相邻两组浅隔离槽之间的氧化层的高度，且所述控制栅层的高度高于所述每组浅隔离槽之间的氧化层的高度；薄膜层，所述薄膜层位于所述控制栅层和所述氧化层的侧壁；合金层，所述合金层位于所述控制栅层之上；氮化硅层，所述氮化硅层位于所述合金层之上，所述氮化硅层上表面与所述每相邻两组浅隔离槽之间的氧化层上表面平齐；源极，所述源极位于所述每组浅隔离槽之间的基底上表面内；漏极，所述漏极位于所述每相邻两组浅隔离槽之间的基底上表面内；第一金属层，所述第一金属层覆盖所述源极和所述漏极；第二金属层，所述第二金属层位于所述漏极之上的第一金属层之上；隔离层，所述隔离层覆盖所述第一金属层、所述氧化层、所述氮化硅层和所述薄膜层，且所述隔离层上表面与所述第二金属层上表面平齐。