[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410854957.2 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104538365A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 高超;王哲献;江红;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括存储区和外围区；在存储区的衬底上形成存储区掩模层；在存储区的衬底上形成围绕所述存储区掩模层的保护环；在外围区的衬底上依次形成外围区浮栅层和外围区掩模层；在存储区掩模层、保护环以及外围区掩模层上形成保护层，位于存储区的保护层为存储区保护层，位于外围区的保护层为外围区保护层；依次去除外围区保护层、外围区掩模层以及外围区浮栅层，露出外围区的衬底。本发明通过设置包围存储区的保护层和保护环，在去除外围区衬底上膜层的时候，保护存储区，可以是存储区不受外围区刻蚀工艺的影响，能够有效扩大外围区的刻蚀工艺窗口，提高器件制造良品率，降低器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区，所述存储区用于形成存储单元，所述外围区用于形成外围电路；在存储区的衬底上形成存储区掩模层；在存储区的衬底上形成围绕所述存储区掩模层的保护环；在外围区的衬底上依次形成外围区浮栅层和外围区掩模层；在所述存储区掩模层、保护环以及外围区掩模层上形成保护层，位于存储区的保护层为存储区保护层，位于外围区的保护层为外围区保护层；依次去除所述外围区保护层、所述外围区掩模层以及外围区浮栅层，露出外围区的衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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