[发明专利]半导体器件的模拟方法及模拟装置

摘要

一种半导体器件的模拟方法及模拟装置，所述模拟方法包括：获得半导体器件的栅极尺寸；建立坐标系并将坐标系分为逻辑区和存储区；对逻辑区划分逻辑区方块，形成逻辑区方块，并获得每个逻辑区方块的子模型；对存储区划分存储区方块，形成存储区方块，并获得每个存储区方块的子模型；形成方块模型；在方块模型中提取工艺角参数；设置隔离沟，形成器件模型；基于器件模型和工艺角参数对半导体器件进行模拟，输出半导体器件性能信息。隔离沟能够有效的分开逻辑区和存储区，而又不影响到其他参数的连续性，能够避免在工艺角模拟中空白区域和重叠区域的出现，避免模拟计算报错，提高模拟的效率。

主权项

一种半导体器件的模拟方法，所述半导体器件包括存储器件和逻辑器件，其特征在于，所述模拟方法包括：获得半导体器件的栅极尺寸，所述栅极尺寸包括栅极长度和栅极宽度；以所述栅极长度和栅极宽度分别为坐标轴建立坐标系，并将所述坐标系分为与所述逻辑器件相对应的逻辑区和与所述存储器件相对应的存储区；根据逻辑器件电学特性与栅极尺寸的关系对所述逻辑区进行划分，形成逻辑区方块，并提取每个所述逻辑区方块四个顶点的单模型，根据单模型获得每个逻辑区方块的子模型；根据存储器件电学特性与栅极尺寸的关系对所述存储区进行划分，形成存储区方块，并提取每个所述存储区方块四个顶点的单模型，根据单模型获得每个存储区方块的子模型；根据所有逻辑区和所有存储区的子模型，形成方块模型；在所述方块模型中提取工艺角参数；在所述方块模型中逻辑区与存储区之间设置隔离沟，并根据隔离沟调整存储区的边界，形成器件模型；基于所述器件模型和所述工艺角参数对所述半导体器件进行模拟，输出半导体器件性能信息。