[发明专利]二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410857291.6 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104556230A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 郁可;谭英华;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料，其包括层级纳米球；其中，所述纳米球是由2-4nm厚度的二硫化钼纳米鳞片团聚而成。本发明还公开了所述二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料的制备方法，利用一步水热法合成，将钼酸钠、硫代乙酰胺和草酸分别溶解后混合，反应后得到所述二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料。本发明具有低成本，生长温度较低，重复性较高的优点，在场发射方面具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 纳米 绣球花 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料，其特征在于，其包括层级纳米球；其中，所述纳米球是由2‑4nm厚度的二硫化钼纳米鳞片团聚而成。
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