[发明专利]具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201410858153.X | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN105895655B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 金宰一;柳昊辰 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法。一种有机发光二极管OLED显示器包括基板,该基板中限定有发射区域和非发射区域;OLED,该OLED被布置在发射区域中。该OLED显示器还包括薄膜晶体管,该薄膜晶体管被布置在非发射区域中;第一绝缘层,该第一绝缘层与非发射区域中的薄膜晶体管交叠;第一存储电容电极,该第一存储电容电极被布置在第一绝缘层上在发射区域中;第二绝缘层,该第二绝缘层被布置为覆盖第一存储电容电极和除薄膜晶体管的一部分之外的薄膜晶体管,薄膜晶体管的所述部分通过第二绝缘层被暴露。该OLED显示器还包括布置在第二绝缘层上的有机保护层以及OLED的布置在第二绝缘层上的阳电极,该阳电极电连接至薄膜晶体管。 | ||
搜索关键词: | 具有 孔径 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管OLED显示器,该OLED显示器包括:基板,该基板中限定有发射区域和非发射区域;OLED,该OLED被布置在所述发射区域中;薄膜晶体管,该薄膜晶体管被布置在所述非发射区域中;第一绝缘层,该第一绝缘层与所述非发射区域中的所述薄膜晶体管交叠;第一存储电容电极,该第一存储电容电极被布置在所述第一绝缘层上在所述发射区域中;第二绝缘层,该第二绝缘层被布置为覆盖所述第一存储电容电极和除所述薄膜晶体管的一部分之外的所述薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的所述部分通过该第二绝缘层被暴露;有机保护层,该有机保护层被布置在所述第二绝缘层上并且在除所述薄膜晶体管的所述部分通过所述第二绝缘层被暴露的地方之外与所述薄膜晶体管交叠;以及所述OLED的阳电极,该阳电极被布置在所述第二绝缘层上,该阳电极电连接至所述薄膜晶体管,其中,所述阳电极和所述第一存储电容电极彼此交叠,并且所述第二绝缘层在所述发射区域中被插置在所述阳电极与所述第一存储电容电极之间,以形成存储电容器,并且其中,在所述发射区域中去除全部所述有机保护层或者所述有机保护层的一部分,使得在所述发射区域中的所述第二绝缘层或者所述第二绝缘层在所述发射区域中的所述部分通过所去除的有机保护层被暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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