[实用新型]电子装置有效
| 申请号： | 201420082322.0 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN203774334U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | G·格里维纳;G·洛彻尔特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电子装置，一个技术问题是解决与现有技术中存在的问题相关的问题。电子装置可包括晶体管，所述晶体管具有漏极区域、源极区域、介电层和栅极电极。所述介电层可具有第一部分和第二部分，其中所述第一部分相对较厚且更接近所述漏极区域；所述第二部分相对较薄且更接近所述源极区域。所述晶体管的所述栅极电极可覆盖所述介电层的所述第一部分和所述第二部分。在另一方面，可使用具有不同厚度的两个不同介电层形成电子装置。所述电子装置内的栅极电极可形成于所述两个不同介电层的部分上方。形成该电子装置的工艺可取消可另外用于保持漏极掺杂物浓度更接近最初形成的浓度的掩膜和掺杂步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种电子装置，其特征在于包括： 晶体管的漏极区域； 所述晶体管的源极区域； 介电层，其具有第一部分和第二部分，其中： 所述第一部分具有第一厚度且与所述源极区域相比更接近所述漏极区域； 所述第二部分具有第二厚度且与所述漏极区域相比更接近所述源极区域； 所述第一厚度比所述第二厚度更大；且 所述介电层包括所述晶体管的栅极介电质；和 所述晶体管的栅极电极，其覆盖所述介电层的所述第一部分和所述第二部分。
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