[实用新型]一种台面PIN钝化结构

摘要

本实用新型提供一种台面PIN钝化结构，包括在半绝缘InP衬底上依序生长有缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型CapInP层，其中：该半绝缘InP衬底上依序生长的该缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型CapInP层构成了阶梯层台面，在该阶梯层台面的侧壁上生长有BCB层以及在该BCB层上生长有保护该BCB层的SiO2钝化层，藉由前述结构或其构造的结合，实现了该台面PIN钝化结构，从而达成了方便制成、电性接触可靠性高、暗电流低以及使用时可降低能耗、延长寿命的良好效果。

主权项

一种台面PIN钝化结构，包括在半绝缘InP衬底上依序生长有缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型Cap InP层，其特征在于：该半绝缘InP衬底上依序生长的该缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型Cap InP层构成了阶梯层台面，在该阶梯层台面的侧壁上生长有BCB层以及在该BCB层上生长有保护该BCB层的SiO2钝化层。