[实用新型]一种源漏极漏电流测试结构有效
| 申请号： | 201420147276.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN203800036U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 赵丽丽;吴方锐;周俊;刘丽丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种源漏极漏电流测试结构，包括：形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，所述填充层为弯折结构。弯折结构的转角处最容易产生位错，当产生位错时，就能测到有源区和衬底的源漏极漏电流，进而通过所述测试结构判断器件区中源漏极是否漏电及漏电的严重程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 源漏极 漏电 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种源漏极漏电流测试结构，其特征在于，包括：形成于一半导体衬底中的若干隔离沟槽、形成于所述隔离沟槽中的填充层、形成于所述隔离沟槽之间的第一掺杂区、以及第二掺杂区，其中所述填充层为弯折结构。
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