[实用新型]SRAM读取时间自测试电路有效
申请号: | 201420152047.5 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN203799671U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 拜福君 | 申请(专利权)人: | 西安华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/08 | 分类号: | G11C29/08 |
代理公司: | 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 | 代理人: | 王萌 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种SRAM读取时间自测试电路,包括待测SRAM、一个二路选择器、一个延时扫描电路、一个锁存器、一个比较器、一个计数器、第一反相器和第二反相器。通过增加一个延时扫描电路、一个比较器和一个计数器,可以实现对延时时间的自动扫描从而可以快速的找到合适的延时,并通过测量环形振荡器的输出振荡周期得到SRAM的读取时间值。本实用新型避免了测试时频繁的人工操作介入,测试效率高,并且由于采用固定延时单元和具有多个可选延时的单元的组合方式,在保证较大的测量范围的前提下,节省了版图面积。 | ||
搜索关键词: | sram 读取 时间 测试 电路 | ||
【主权项】:
一种SRAM读取时间自测试电路,其特征在于,包括待测SRAM、一个二路选择器MUX、一个延时扫描电路DEL_TRIM、一个锁存器DFF、一个比较器COMPARATOR、一个计数器COUNTER、第一反相器(I2)和第二反相器(I3);所述待测SRAM连接至输入地址信号线A、输入写使能信号线WEN、输入片选使能信号线CEN、输入时钟信号线CLK、输入数据线D和输出数据线Q;所述二路选择器MUX用于测试电路模式的切换,其使能端连接至测试模式选择信号线OSC_EN,其输入端A连接至第一反相器的输出端,其输入端B连接至输入时钟信号线CLK,其输出端连接至延时扫描电路DEL_TRIM的输入端I;所述延时扫描电路DEL_TRIM的控制端C连接至计数器COUNTER的计数输出端,其输出端Z连接至第一反相器的输入端,其输入端至输出端之间的延时由连接至控制端的信号决定;所述第一反相器的输出端连接至MUX的输入端A和第二反相器的输入端;所述第二反相器的输出端连接至锁存器DFF的时钟端。
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