[实用新型]具有变化深度的补偿区域与窄边缘结构的组合的超结器件有效
| 申请号： | 201420180035.3 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN203910807U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | W.凯因德尔;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及具有变化深度的补偿区域与窄边缘结构的组合的超结器件。一种超结器件包括：半导体主体，其具有第一表面；第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；漏极区，其毗连内区；边缘区域中的多个同心场限环；以及中央区域中的单元阵列，其包括多个单元；其中，在每个单元中，第二导电类型的基区部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面；第二导电类型的补偿区域部署在半导体主体中并且毗连基区；其中，在一部分单元中，补偿区域具有减少的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 变化 深度 补偿 区域 边缘 结构 组合 器件 | ||
【主权项】：
一种超结器件，所述超结器件包括：半导体主体，其具有第一表面；第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；漏极区，其毗连内区；边缘区域中的多个同心场限环；以及中央区域中的单元阵列，其包括多个单元；其中，在每个单元中，第二导电类型的基区部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面；第二导电类型的补偿区域部署在半导体主体中并且毗连基区；其中，在一部分单元中，补偿区域具有减少的深度。
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