[实用新型]一种半导体引线框架生产线有效
| 申请号： | 201420209020.5 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN203826353U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 黄斌;任俊 | 申请（专利权）人： | 四川金湾电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 方强 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体引线框架生产线，包括依次设置的第一放料器、第一冲床、第二放料器、表面处理床、第三放料器和第二冲床，所述第一冲床上安装有成型模具，所述第二冲床上安装有切断成型模具，所述表面处理床包括支架和床体，床体设置在支架上，在床体上从左到右依次设置为电解除油区、三级水洗区、酸活化区、四级水洗区、镀镍区、三级水洗区、镀碱铜区、三级水洗区、镀酸铜区、三级水洗区、预镀银区、三级水洗区、镀银区、三级水洗区、退银区、三级水洗区、镀保护液区、三级水洗区和烘干区。本实用新型镀层附着力强，不易掉落，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 引线 框架 生产线 | ||
【主权项】：
一种半导体引线框架生产线，其特征在于：包括依次设置的第一放料器、第一冲床、第二放料器、表面处理床、第三放料器和第二冲床，所述第一冲床上安装有成型模具，所述第二冲床上安装有切断成型模具，所述表面处理床包括支架和床体，床体设置在支架上，在床体上从左到右依次设置为电解除油区、三级水洗区、酸活化区、四级水洗区、镀镍区、三级水洗区、镀碱铜区、三级水洗区、镀酸铜区、三级水洗区、预镀银区、三级水洗区、镀银区、三级水洗区、退银区、三级水洗区、镀保护液区、三级水洗区和烘干区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川金湾电子有限责任公司，未经四川金湾电子有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420209020.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶粒装填固晶机吸嘴装置
- 下一篇：一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
