[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延片有效
申请号: | 201420218452.2 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN203850331U | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 孟彦超;潘鹏;王爱民;王波;白欣娇;范巧温 | 申请(专利权)人: | 同辉电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/04 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 050200 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延片,它属于发光二极管技术领域。它包括衬底,以及从下至上依次外延生长于所述衬底之上的低温缓冲层、GaN非掺杂层、n/n+超晶格层、N型GaN层、多量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、高温P型GaN层和P型接触层,所述n/n+超晶格层由从下到上顺次叠加10到50次的若干单元组成。本实用新型用于制作发光二极管,它在外延结构uGaN与nGaN之间引入一种优化的n/n+超晶格结构层作为过渡层,其作用为活化电子,扩散电流密度,阻挡晶格失配引起的缺陷,并且能进一步提高阻挡电子泄漏的效果,使得大电流密度注入下InGaN/GaN基发光二极管的发光效率得到很大提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 发光二极管 外延 | ||
【主权项】:
一种氮化镓基发光二极管外延片,其特征在于:它包括衬底(1),以及从下至上依次外延生长于所述衬底之上的低温缓冲层(2)、GaN非掺杂层(3)、n/n+超晶格层(4)、N型GaN层(5)、多量子阱层(6)、发光量子阱层(7)、低温P型GaN层(8)、高温P型GaN层(9)和P型接触层(10),所述n/n+超晶格层(4)由从下到上顺次叠加10到50次的若干单元组成。
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