[实用新型]一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构

摘要

本实用新型涉及一种带有再钝化层开槽的Low-K芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括表面设置有芯片电极（110）的硅基体（101），芯片表面钝化层（120）的表面设置再钝化层（200），再钝化层（200）于芯片电极（110）的正上方设置再钝化层开口（201），再钝化层开口（201）的尺寸边界不大于芯片表面钝化层开口（121）的尺寸边界，且露出芯片电极（110）的表面，再钝化层开口（201）内设置芯片引脚（400）；再钝化层（200）于芯片引脚（400）的一侧设置再钝化层开槽（202），所述再钝化层开槽（202）沿芯片引脚（400）的功能区域边界延伸至整个再钝化层（200）。本实用新型的芯片封装结构有效地降低了产品自身应力，提高了产品可靠性。

主权项

一种带有再钝化层开槽的Low‑K芯片封装结构，其包括表面设置有若干个芯片电极（110）的硅基体（101），所述硅基体（101）的上表面附着有芯片表面钝化层（120），所述芯片表面钝化层（120）于芯片电极（110）的正上方设有芯片表面钝化层开口（121），所述芯片表面钝化层开口（121）露出芯片电极（110）的表面， 其特征在于：所述芯片表面钝化层（120）的表面设置再钝化层（200），所述再钝化层（200）于芯片电极（110）的正上方设置再钝化层开口（201），所述再钝化层开口（201）的尺寸边界不大于芯片表面钝化层开口（121）的尺寸边界，且露出芯片电极（110）的表面，所述再钝化层开口（201）的内壁以及裸露的芯片电极（110）的表面设置金属溅射层（311），所述金属溅射层（311）的表面固定连接芯片引脚（400）；全部所述芯片引脚（400）按功能划分区域，形成功能区域边界；还包括再钝化层开槽（202），所述再钝化层开槽（202）沿功能区域边界延伸至整个再钝化层（200）。