[实用新型]一种栅极独立抗噪直插式传声器有效
| 申请号： | 201420291187.0 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN203933947U | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 施存炬;张建国 | 申请（专利权）人： | 宁波兴隆电子有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315135 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及金属极板，其特征在于：所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述金属极板通过胶水与场效应管FET相接。与现有技术相比，本实用新型利用导电板代替PCB板接地使得传声器受磁场影响有效减少，信号屏蔽性能更为良好；且场效应管FET的栅极G独立，可以在栅极G上自由添加元器件，以实现传声器更优越的效果，能更好的起到抗噪功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 独立 抗噪直插式 传声器 | ||
【主权项】：
一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及金属极板，其特征在于：所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述金属极板通过胶水与场效应管FET相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波兴隆电子有限公司，未经宁波兴隆电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420291187.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
