[实用新型]一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型涉及一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池，自下而上包括背面Ag电极、Al背场、P型Si基片、N+层、SiNx减反膜层、Ag副栅线和Ag主栅线，还包括透明导电薄膜层，透明导电薄膜层位于Ag副栅线之间，SiNx减反膜层之上，与Ag副栅线间留有缝隙。本实用新型在保证硅片表面钝化效果的基础上，借助透明导电薄膜的高透光率和低电阻率，降低太阳能电池的正面电极电阻，从而提高电池转换效率。

主权项

一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池，自下而上包括背面Ag电极、Al背场、P型Si基片、N+层、SiNx减反膜层、Ag副栅线和Ag主栅线，其特征在于，还包括透明导电薄膜层，所述的透明导电薄膜层位于Ag副栅线之间，所述SiNx减反膜层之上，与所述Ag副栅线间留有缝隙。