[实用新型]氧传感器芯片填孔设备有效
申请号: | 201420376507.2 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN203932018U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 谢蒙蒙 | 申请(专利权)人: | 无锡隆盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种氧传感器芯片填孔设备,包括机体,机体上方设置有芯片填孔机构,所述芯片填孔机构包括设置在机体上用于放置氧化锆板以及金属浆料的下模和通过固定在机体上的立柱设置在机体上与下模相对应的上模;所述上模与立柱之间滑动配合,上模通过设置在机体上的汽缸控制机构在立柱内上下移动。本实用新型结构简单、成本低廉、装配方便,通过挤压填充的方式,对打孔后氧化锆片完成孔内金属浆料的填充,保证了填孔的质量,从而提高了氧传感器芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 传感器 芯片 设备 | ||
【主权项】:
一种氧传感器芯片填孔设备,其特征在于:包括机体(1),机体上方设置有芯片填孔机构,所述芯片填孔机构包括设置在机体上用于放置氧化锆板以及金属浆料的下模和通过固定在机体上的立柱设置在机体上与下模相对应的上模;所述上模与立柱(21)之间滑动配合,上模通过设置在机体上的汽缸控制机构在立柱内上下移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡隆盛科技股份有限公司,未经无锡隆盛科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420376507.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造