[实用新型]薄膜晶体管基板有效
申请号: | 201420410804.4 | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN204243040U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 徐旭宽;邱国豪;朱夏青;黄鹏丞;孙铭谦 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型是有关于一种薄膜晶体管基板,包括:一基板,且基板上方是依序设置多个薄膜晶体管单元、一绝缘层、一像素电极、以及一配向膜。其中,薄膜晶体管单元是设置于基板上且包括一栅极绝缘层、一主动层、一源极及一漏极;绝缘层具有接触孔以显露薄膜晶体管单元的漏极;而像素电极是设置于绝缘层上且向接触孔延伸以与漏极电性连接。其中,接触孔的侧壁在一第一方向上分别具有一第一倾斜部且在一第二方向上分别具有一第二倾斜部,第一方向与第二方向不同,且像素电极位于第一倾斜部的坡度与位于第二倾斜部的坡度不同。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,其特征在于,包括: 一基板; 多个薄膜晶体管单元,设置于该基板上且分别包括:一栅极绝缘层、一主动层、一源极及一漏极; 一绝缘层,设置于所述薄膜晶体管单元上具有多个接触孔以分别显露所述薄膜晶体管单元的该漏极; 一像素电极,设置于该绝缘层上且向所述接触孔延伸以与该漏极电性连接;以及 一配向膜,覆盖该像素电极; 其中所述接触孔的侧壁在一第一方向上分别具有一第一倾斜部且在一第二方向上分别具有一第二倾斜部,该第一方向与该第二方向不同,且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部的坡度与位于至少一所述第二倾斜部的坡度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群创光电股份有限公司,未经群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420410804.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的