[实用新型]一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置有效
| 申请号： | 201420492245.6 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN204011436U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王祖强;刘建宏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，可改善后续形成的电极在过孔内发生断线不良的问题。该薄膜晶体管包括：依次设置在衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、层间介质层、源电极和漏电极，源电极和漏电极通过露出有源层的过孔分别与有源层连接；栅绝缘层至少包括两层结构的氧化硅层和氮化硅层，层间介质层至少包括四层结构的氧化硅层和氮化硅层；栅绝缘层和层间介质层包括的所有氧化硅层和氮化硅层间隔排列，过孔远离衬底基板一侧的尺寸大于靠近衬底基板一侧的尺寸。用于薄膜晶体管、包含该薄膜晶体管的显示基板及显示装置的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括依次设置在衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、层间介质层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极通过露出所述有源层的过孔分别与所述有源层连接；所述栅绝缘层和所述层间介质层均包括氧化硅层和氮化硅层；其特征在于，所述栅绝缘层至少包括两层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层，所述层间介质层至少包括四层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层；其中，所述栅绝缘层和所述层间介质层包括的所有所述氧化硅层和所述氮化硅层间隔排列；从所述层间介质层中最远离所述衬底基板的一层氧化硅层或氮化硅层算起，所述栅绝缘层和所述层间介质层包括的所有层中至少第奇数层或第偶数层的致密性依次递增。
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