[实用新型]一种单侧电极芯片的LED封装结构有效
申请号: | 201420495190.4 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN204029863U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 李媛 | 申请(专利权)人: | 李媛 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 529100 广东省江*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种单侧电极芯片的LED封装结构,包括芯片,芯片与N型半导体层或P型半导体层之一电接触的导电衬底和与另一P型半导体层或N型半导体层电接触的另一电极,所述导电衬底和所述另一电极分别与导电基板电连接,容置所述芯片和基板的杯碗,芯片的N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面,位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面;所述另一电极设置芯片的侧面上。由于本实用新型芯片的电极位于芯片的侧面,无需在芯片出光面上焊线,减少光线遮挡,提高了LED的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 芯片 led 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种单侧电极芯片的LED封装结构,包括芯片,芯片与N型半导体层或P型半导体层之一电接触的导电衬底和与另一P型半导体层或N型半导体层电接触的另一电极,所述导电衬底和所述另一电极分别与导电基板电连接,容置所述芯片和基板的杯碗,其特征在于:芯片的N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面,位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面;所述另一电极设置芯片的侧面上。
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